固态硬盘的主要性能参数有哪些呢
1，标称的读写速度，当然是越高越好，这个最好理解；
2，IOPS，就是模拟4K大小的文件读写。为什么要模拟4K呢？因为NTFS分区格式里4K被定义为一个簇，这是为了测试读写小文件时的速度，因为系统启动、大的游戏载入、大型软件载入都会加载许多1K左右的配置文件还有其它很多小文件，这个时候就是IPOS参数发挥作用的时候了。现在主流的IOPS都在90K以上了（机械硬盘还在5K左右徘徊），就是每秒最高能读或写（按最大的算，一般IPOS是读得慢写得快）90000个4K的文件（小小得瑟一下，我的950PRO已经达到300K了）；
3，存储颗粒类型，就是常说的SLC和MLC，这个意义不大，理论上SLC的擦写次数是10万次，而MLC的擦写次数是1万次，注意了，是擦写，不是读写啊，可以擦写这么多次，读无限次。也就是说你买块100G的硬盘，就算是MLC颗粒也允许你循环写入100G*1万次=1PB的数据，就是1000T，100万G，假设你每天写入100G的文件也能用上1万天，约等于27.4年。假设换成SLC，10万次寿命，那么你每天写入100G的话需要274年才能把它用废，这东西等到274年后铁定是文物了。现在又有TLC颗粒，擦写寿命只有300~500次，要照每天100G这种用法一年就废了，但是一般情况下每天10G顶天了，这么说是不是可以用10年了？你还记得10年前主流的机械硬盘是什么接口、容量多大吗？
一块优秀的固态硬盘主要看哪指标，看这2个速度，再看一个芯片
随着用户数据读写效率的提高，SSD固态硬盘在当下几乎成了装电脑的标配，市面上层出不穷的固态硬盘让人眼花缭乱，特别是用户量最大的普通消费群体，那么一款优秀的固态硬盘要具备哪些指标呢？今天就跟大家来简单的讲解一下吧。
我们首先了解固态硬盘的重要组件组成部分，也叫内部控制器组件，它决定了固态硬盘的性能强度：固态硬盘是由主控制器、NAND闪存芯片和DRAM缓存芯片组成。其中，主控制器的作用相当于电脑中的CPU，是整个固态硬盘的指挥中心， DRAM芯片的作用是外部设备的缓存。NAND闪存芯片是用于存储数据。
NAND闪存芯片是决定固态硬盘的速度快慢和使用寿命，正是因为NAND闪存芯片和主控芯片这些组件的辅助，才能让固态硬盘具有远超机械硬盘限制的高速度，以及充足存储的大容量，因为NAND闪存芯片在更先进的新工艺存储密度加持，从而大幅度提升了固态硬盘的容量，其中闪存颗粒的品质直接决定固态硬盘使用寿命和运行稳定性，而目前拥有闪存颗粒生产技术的品牌很少，市面上五花八门的固态硬盘品牌产品，大多数都是使用别家的闪存颗粒芯片。同时，不缺乏一些不良厂商的固态硬盘使用拆机片或者白片来以次充好，加以编写主控制器代码，就可以生产出固态硬盘了，还有一些廉价的固态硬盘为了节约成本，去掉了一块很重要的DRAM缓存芯片，同学们在选择的时候要注意。
读写速度是考核一块固态硬盘性能的最直观指标，读写速度是用户挑选固态硬盘的首选参数之一，一块优质的固态硬盘读取速度不一定很快，一块表现优质的固态硬盘，我们重点需要关注下面这2个速度：
1：连续读写，主要用于拷贝单个大文件时显得非常重要，连续读写直接决定了拷贝视频文件，压缩包，以及转移批量大数据的速度。
2：随机读写，（也叫4k读写），主要涉及到很多分散的小文件，比如操作系统文件，系统由很多个几KB到几MB的大量小文件组成，固态硬盘读写一个小文件只需零点几秒，这些小文件数量非常多的话主要考验到4k读写性能。
由此可见，一块优质的固态硬盘产品对芯片技术、集成封装技术、主控制器固件等都有非常严格的指标，主控芯片，缓存芯片，闪存芯片这三大件必须要求好。
固态硬盘好坏看哪些重要参数
固态硬盘的好坏主要看性能参数:分别为最大读写速度,4kb随机读写数值,
因为固态硬与模式硬盘的存储方式不同,寻道值基本上不存在,所以只需要看以上四个数值就可以了.如果4kb随机读写数值过值,最大读写速度在高也没有用.
SSD最重要的参数是什么？一般达到多少IOPS算是性能不错的呢？
SSD重要的参数：
1、主控
主控芯片是固态硬盘的大脑，其作用一是合理调配数据在各个闪存芯片上的负荷，二则是承担了整个数据中转，连接闪存芯片和外部SATA接口。
不同的主控之间能力相差非常大，在数据处理 能力，算法，对闪存芯片的读取写入控制上会有非常大的不同，直接会导致固态硬盘产品在性能上差距高达数十倍。目前主流的主控有：Intel主控、andForce主控、Marvell主控、三星主控等。
2、闪存颗粒：
闪存颗粒分为SLC、MLC、TLC三种，SLC的性能最好同时寿命也最长，但是价格也是最贵的。而这三者性能好坏与其储存电压信号的复杂程度密不可分。
TLC的电压组合由3位二进制构成，即有 2的3次方，共8种组合，而MLC的电压组合是由2位2进制构成，即有2的2次方共4种组合，这两者一比较，我们不难看出由于TLC需要更精确的控制电压，那么写入数据当然也会花费更多的时间。
同样的，由于 需要识别8种信号，而MLC只需要识别4种，所以TLC会花更多时间来读取数据。
但是和SLC比起来，MLC就被完爆了，因为SLC的电压组合只有1和0两种，与MLC的4种电压组合比起来，SLC会花费更少的时间来识 别信号，同时对电压控制的要求变低：上电就是1，断电就是0，这也就解释了SLC的性能为何最好。
最大IOPS的理论计算方法：
IOPS = 1000 ms/ (寻道时间 + 旋转延迟)。可以忽略数据传输时间。
7200 rpm的磁盘IOPS = 1000 / (9 + 4.17) = 76 IOPS；
10000 rpm的磁盘IOPS = 1000 / (6+ 3) = 111 IOPS；
15000 rpm的磁盘IOPS = 1000 / (4 + 2) = 166 IOPS。
扩展资料
IOPS指标对性能的影响：
IOPS是指单位时间内系统能处理的I/O请求数量，一般以每秒处理的I/O请求数量为单位，I/O请求通常为读或写数据操作请求。随机读写频繁的应用，如OLTP(OnlineTransaction Processing)，IOPS是关键衡量指标。
另一个重要指标是数据吞吐量(Throughput)，指单位时间内可以成功传输的数据数量。对于大量顺序读写的应用，如VOD(Video On Demand)，则更关注吞吐量指标。
传统磁盘本质上一种机械装置，如FC, SAS, SATA磁盘，转速通常为5400/7200/10K/15K rpm不等。影响磁盘的关键因素是磁盘服务时间，即磁盘完成一个I/O请求所花费的时间，它由寻道时间、旋转延迟和数据传输时间三部分构成。
通常情况下，IOPS可细分为如下几个指标：
Toatal IOPS：混合读写和顺序随机I/O负载情况下的磁盘IOPS，这个与实际I/O情况最为相符，大多数应用关注此指标。
Random Read IOPS：100%随机读负载情况下的IOPS。
Random WriteIOPS：100%随机写负载情况下的IOPS。
Sequential ReadIOPS：100%顺序负载读情况下的IOPS。
Sequential WriteIOPS：100%顺序写负载情况下的IOPS。
