NAND与ROM有什么区别
1、ROM 通常指固化存储器(一次写入，反复读取)，它的特点与RAM 相反。ROM又分一次性固化、光擦除和电擦除重写两种类型 断电后数据不会丢失。
2、保存方式不同 ROM保存方式：如果突然停电或者没有保存就关闭了文件，那么ROM可以随机保存之前没有储存的文件。RAM保存方式：如果突然停电或者没有保存就关闭了文件，那么RAM会使之前没有保存的文件消失。
3、RAM 随机存储器， 可读可写，掉电丢失。主要是在系统运行的时候存储空间。ROM是内部存储器，早期是只能读不能写，主要存放系统程序（BIOS，操作系统等），故称只读存储器。
nand和flash区别
性能区别 NAND的写入速度比NOR快很多；NAND的擦除速度远比NOR快；NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更加简单；NAND的实际应用方式要比NOR复杂的多。
容量和成本不同 nand flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。
flash：可以直接执行指令，读取速度较快，写入不太方便，擦除速度较慢。nand flash：读取速度比nor flash略快，但写入、擦除都较快。但可靠性略低，需要做损耗平衡、数据校验等。
可以节省更多的空间，而NORFlash则不同，其空间浪费更多。因此，NORFlash与NANDFlash之间的区别在于它们的存储结构、读取/写入性能及空间占用率。根据实际需求，用户可以根据具体需求来选择合适的闪存，以实现最好的效果。
nandflash和norflash的区别如下：开发的公司不同：NORflash是intel公司1988年开发出了NORflash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP，eXecuteInPlace）。Nandflash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NANDflash结构。
NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。
NAND的基本操作
指令锁存使能(Command Latch Enable， CLE)： 当CLE为高时，在WE#信号的上升沿，指令被锁存到NAND指令寄存器中。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。
硬件连接：NAND Flash接口一般采用24引脚，其中有20个集成电路的数据接口，4个地址接口，1个片选接口，1个时钟接口。此外，还需要1个电源地和1个电源电压，最常用的电源地电压值为3V。
NAND技术Flash Memory具有以下特点：（1） 以页为单位进行读和编程操作，1页为256或512B（字节）；以块为单位进行擦除操作，1块为4K、8K或16KB。
应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块。
再去检查chip2，如果也是编程完了，也就可以进行接下来的其他页的编程了。如此，交互操作chip1和chip2，就可以有效地利用时间，使得整体编程效率提高近2倍，大大提高Nand Flash的编程/擦写速度了。
nand是什么意思
1、NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。
2、一种逻辑算法，常在计算机中以“与非门”的形式存在。表示为：NAND。输入 输出 1 1 0 1 0 1 0 0 1 即作一次“与”运算后再做一次“非”运算。或非：一种逻辑算法，常在计算机中以“或非门”的形式存在。
3、NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。NOR Flash是一种非易失闪存技术，是Intel在1988年创建。
4、原因：这是刷机时造成的参数错误。解决办法：将iphone关机；同时按住HOME键和关机键10秒；松开关机键；继续按住home键；直到在电脑上看到识别在DFU状态下的设备。
5、Nand比Nor晚开发出来，在基本单元结构上，Nand 是用的晶闸管(含浮栅）源极漏极首尾串联的形式，比如32个晶闸管串联称为一个块Block，擦除和编程必须以这个最小单元操作。
6、nand flash应该就是nand memory吧，就是指手机或者mp4的内存，就像电脑的内存一样，为程序的运行保存一些参数变量，断电后会自动清除。他的大小当然也要影响到手机的运行速度。
DRAM与NAND的区别
1、NAND是与非门闪存 NOR是或非门闪存，不是内存哦 他们都有掉电不丢失数据，大容量，低成本的优点~DRAM是动态随机存取内存，内存中的数据会在断电后消失 优点是具有高密度，且成本低。
2、应用不同 NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合存放大的数据。
3、NAND Flash 存储器具有容量较大、体积较小、改写速度快等优点，它是移动数码产品存储的理想介质，在业内有广泛的应用，包括手机、相机、随身携带的 U 盘等。手机参数中的256GB、512GB指的就是手机中的闪存大小。
4、数据存储不同：SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。
